一种SiC MOSFET板级封装半桥模块及其封装方法

本发明属于板级封装领域，具体涉及一种SiC MOSFET板级封装半桥模块及其封装方法。封装半桥模块采用两颗SiC MOSFET芯片来组成组成半桥结构，SiC MOSFET的漏极通过有压烧结材料与底部小基板相连，SiC MOSFET通过重互连层与对应焊盘或者基板相连接。本发明的优点在于，使用有压烧结材料进行固晶，烧结固晶层的熔点较高，接近于银、铜金属的熔点，并且固晶层的连接强度高，牢固可靠，可以有效地提高SiC MOSFET半桥模块的可靠性。