半导体装置及制造半导体装置的方法

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半导体装置及制造半导体装置的方法
申请号:CN202410744450
申请日期:2024-06-11
公开号:CN120184148A
公开日期:2025-06-20
类型:发明专利
摘要
本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置可以包括:基板,其包括芯片区域和焊盘区域;第一接合焊盘,其位于芯片区域中;第二接合焊盘,其位于第一接合焊盘上并且具有连接至第一接合焊盘的前表面;第一探测焊盘,其位于焊盘区域中,延伸至芯片区域,并连接至第二接合焊盘当中的至少一个第二接合焊盘的后表面;以及第二探测焊盘,其定位为邻近第一探测焊盘并且连接到第二接合焊盘当中的至少一个第二接合焊盘的后表面。
技术关键词
半导体装置 焊盘 测试结构 测试线 沟道结构 栅极结构 电压 晶圆 电路 芯片 基板 源极结构 层叠 漏电流
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