用于量子芯片的片上滤波器及其制备方法、量子芯片

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用于量子芯片的片上滤波器及其制备方法、量子芯片
申请号:CN202410766893
申请日期:2024-06-14
公开号:CN118448825B
公开日期:2024-09-03
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种用于量子芯片的片上滤波器及其制备方法、量子芯片,涉及量子技术领域。量子芯片的片上滤波器包括:基片;第一导电层,包括在基片上设置的第一微带线电极;第一绝缘层,设置在第一导电层上;以及第二导电层,设置在第一绝缘层上,包括:第二微带线电极,与多个第一微带线电极对置,以通过第一绝缘层与第一微带线电极构成电容元件;以及纳米线电极,与第二微带线电极电连接,采用高动态电感材料制备,在环境温度低于高动态电感材料的超导转变温度的情况下,纳米线电极具有超导特性并作为电感元件,与电容元件配合形成滤波单元,对来自外部的电磁波进行选择性的传输,减少特定频率区间内的电磁波泄露。
技术关键词
片上滤波器 微带线 动态电感 量子芯片 电容元件 纳米线电极 电感元件 切比雪夫滤波器 谐振腔 滤波单元 接地电极 电感值 导电层 基片 衬底电隔离 集总电感 尺寸
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