一种超导量子芯片底层电路制备方法、系统及存储介质

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一种超导量子芯片底层电路制备方法、系统及存储介质
申请号:CN202510995564
申请日期:2025-07-18
公开号:CN121001555A
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种超导量子芯片底层电路制备方法、系统及存储介质,制备方法为清洁衬底后形成超导金属层,涂光刻胶光刻显影得底层电路图形,干法刻蚀至预定厚度后去胶清洗,再湿法刻蚀完全去除剩余金属并清洗。制备装置包括蒸镀、光刻、干法刻蚀以及湿法刻蚀设备。计算机存储介质存储用于运行超导量子芯片底层电路制备方法的计算机程序。本发明结合干、湿法刻蚀工艺,先干法刻蚀保留一定厚度金属层以保证侧壁陡直度和粗糙度,提升谐振腔品质因子,再湿法刻蚀避免等离子体对衬底的损伤,减少系统二能级缺陷,进而提升量子比特性能。
技术关键词
超导金属 超导量子芯片 湿法刻蚀设备 干法刻蚀设备 湿法刻蚀工艺 干法刻蚀工艺 等离子体刻蚀设备 涂覆光刻胶 等离子体刻蚀工艺 蒸镀设备 电路 光刻设备 硬质 气相沉积设备 超导体 衬底 介质 光刻胶光刻
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