二类超晶格材料p型扩散掺杂及平面结芯片制备工艺方法

本申请提供一种二类超晶格材料p型扩散掺杂及平面结芯片制备工艺方法，其中该p型扩散掺杂工艺方法包括：在GaSb衬底上通过外延技术生长不同超晶格材料的缓冲层、吸收层、接触层，作为材料片；其中，所述缓冲层为GaSb；吸收层为InAs/InAsSb；生长温度范围为450‑600℃；总生长厚度范围为2‑4μm；对所述材料片进行表面清洗并利用磁控溅射设备蒸镀扩散膜层，作为p型掺杂的扩散源；其中，所述扩散膜层为ZnO或Zn膜，膜层厚度范围为50‑500nm；将镀有所述扩散膜层的材料片在真空度低于10‑3Pa的真空环境下进行快速热退火，制备获得p型掺杂的器件。平面结芯片制备工艺方法在其基础上进行p型掺杂工艺。本申请提出的固相扩散工艺，工艺重复性好、工艺简单、成本控制方面有明显优势。