一种红外探测器芯片的重工方法

本发明属于红外探测器技术领域，公开了一种红外探测器芯片的重工方法，包括以下步骤：判断所述芯片铟柱异常点位置；在所述芯片表面设置保护层，所述保护层将芯片分为保护层覆盖区域以及未被保护层覆盖的暴露区域；所述暴露区域的位置通过所述铟柱异常点位置进行确定；通过化学试剂腐蚀所述暴露区域；在腐蚀过程中，所述保护层用于保护所述保护层覆盖区域不被腐蚀；去除所有保护层；根据铟柱异常点位置，选择性地重新生长铟柱。本方法通过定向保护，设定暴露区域进行区域性化学腐蚀，选择性地进行沉积后完成重工；方法易于工程实现，有效提高了产品的成品率。