一种单晶硅生长状态控制方法

本发明公开了一种单晶硅生长状态控制方法，本发明建立分层的控制器，上层基于模型预测控制方法建立功率控制器和提拉速率控制器，使熔体温度和提拉速率分别达到期望值；下层提出一种基于熔体温度与提拉速率的生长速率公式，并基于模糊控制理论建立生长速率控制器，动态调整熔体温度与提拉速率的权重系数，直接对生长速率进行控制，然后根据调整后的权重系数及实际生长速率得到生长速率偏差，进一步更新期望熔体温度及期望提拉速率，反馈到上层MPC控制器中，形成闭环控制。本发明能够提高生长设备的鲁棒性和抗干扰性，依据生长状态与制备经验动态调节熔体温度和提拉速率，控制更加精确，适用于大尺寸单晶硅的制备。