可靠性失效闪存芯片的筛选方法

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及可靠性失效闪存芯片的筛选方法。该方法包括：提供处于第一编程模式的闪存芯片；在所述第一编程模式基础上加强编程操作形成第二编程模式；所述第二编程模式能够激发相邻两列存储单元之间的穿通缺陷，使得存在穿通缺陷的相邻两列存储单元中的第一存储单元的位线电压变化为第一实际位线电压；变化为第一实际位线电压的一列存储单元处于编程失败状态；读出所述闪存芯片中的失效存储单元地址；基于所述失效存储单元地址识别所述闪存芯片的失效存储单元地址规律；判断所述失效存储单元地址规律是否存在呈位线方向延伸的失效存储单元。