射频半导体设备和制造射频半导体设备的方法

本公开涉及射频半导体设备和制造射频半导体设备的方法。根据本发明的示例，一种用于处理工作频率范围内的射频RF信号的RF半导体设备包括半导体芯片，该半导体芯片包括第一表面、第二表面、侧壁和有源芯片区域。第一表面和第二表面沿横向方向延伸并且侧壁沿竖直方向延伸。位于有源芯片区域外部的金属层面向半导体芯片的第二表面。金属层的厚度低于对应于工作频率范围的趋肤深度。