内并联P+NN-N+型PN结的硅二极管、芯片及制造方法

本发明公开了一种内并联P+NN‑N+型PN结的硅二极管、芯片及制造方法，属于半导体制造领域。该硅二极管芯片包括硅芯以及镀于硅芯正反两面的金属层；所述硅芯的中心部分为P+NN‑N+型PN结，而中心部分外围环绕有P+N‑N+型PN结。本发明进一步提供了一种该硅二极管芯片的制造方法，其选用成本低廉的硅单晶材料来制造超低电压保护硅二极管，有助于解决低压保护硅二极管规模化生产必须采用专用硅外延材料所导致的成本高昂的问题，可降低生产成本，具有显著的经济效益。