存储器芯片和制造该存储器芯片的方法

AITNT
正文
推荐专利
存储器芯片和制造该存储器芯片的方法
申请号:CN202410809971
申请日期:2024-06-21
公开号:CN120076326A
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
提供了一种存储器芯片和制造该存储器芯片的方法。存储器芯片包括:存储器区域,其包括存储有数据的单元插塞;以及防护环,其环围绕存储器区域。防护环包括与形成单元插塞的层以相同的顺序排布的具有相同的材料的子层。
技术关键词
存储器芯片 防护环 层叠结构 蚀刻工艺 多晶硅 管状 数据 线性
系统为您推荐了相关专利信息
1
调整选通信号延迟的半导体芯片
存储器芯片 执行算术运算 半导体芯片 延迟量 信号生成电路
2
存储系统及其控制方法
存储器控制器 存储系统 存储单元 存储器件 存储器芯片
3
具有包括输入/输出宏的缓冲器芯片的存储装置
存储器芯片 存储装置 存储器封装 缓冲器 信号
4
芯片组件及其控制方法、电子设备
温敏元件 芯片组件 检测组件 温敏电阻 电路板
5
一种新型智能机器人的多自由度头颈部
新型智能机器人 过滤筒 防护罩 转板 缓冲筒
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号