新型集成电路FOWLP工艺方法

本发明公开了集成电路技术领域的新型集成电路FOWLP工艺方法，S1、基板准备；S2、RDL层制作；S3、铜导线框架和芯片放置；S4、封装固化；S5、焊垫制备；S6、切割和封装。本发明通过优化RDL层的制作和芯片放置流程，确保了更高的布线精度和芯片对准精度，通过减小封装厚度和增加触点引脚数量，提高了信号传输的效率，减少了信号损失和干扰，采用ChipLast工艺，先进行RDL布线和测试，再放置合格芯片，提高了成品率和封装的长期稳定性，通过简化封装流程和提高材料利用率，降低了整体的封装成本，本发明的工艺方法不仅适用于调频射频芯片，还可以扩展到其他类型的信号芯片，具有广泛的适用性。