基于薄膜铌酸锂的双层三叉戟结构的模斑转换器

AITNT
正文
推荐专利
基于薄膜铌酸锂的双层三叉戟结构的模斑转换器
申请号:CN202410822817
申请日期:2024-06-25
公开号:CN118884611A
公开日期:2024-11-01
类型:发明专利
摘要
一种基于薄膜铌酸锂的双层三叉戟结构的模斑转换器,属于铌酸锂光子芯片技术领域。从下至上依次由石英衬底层、二氧化硅下包层、铌酸锂波导、氮氧化硅波导上包层组成,氮氧化硅波导包层在二氧化硅包层内,三层铌酸锂波导在氮氧化硅波导内分别为双层三叉戟结构波导和脊型波导,传输部分为锥形结构。随着铌酸锂波导宽度逐渐增大,波导对光的限制效果增强。当波导宽度增至一定程度时,光被有效限制在波导内部,导致光斑尺寸减小,从而实现光纤与波导之间两种模斑的高效耦合。通过优化设计,模斑转换器传输过程的透过率可达到0.989,耦合效率达到93%,光纤耦合对准容差为±0.75μm,产生1dB的偏移损耗。
技术关键词
二氧化硅 波导体 衬底层 光子芯片技术 光纤耦合对准 薄膜 模斑转换器 石英 锥型结构 光斑尺寸 刻蚀深度 波导结构 锥形 损耗 平板 端口 间距
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种芯片散热结构及加工方法
芯片散热结构 二氧化硅掩膜 供液夹具 多孔金属 衬底
2
一种基板芯片封装结构及其制备方法
芯片封装结构 控制芯片 存储芯片 气凝胶层 基板
3
一种半导体器件、一种半导体器件的制备方法和一种芯片
半导体器件 二氧化硅掩膜 外延 沟槽 衬底
4
一种薄膜铌酸锂波导起偏器
波导模式转换器 弯曲 光纤 SiO2衬底 薄膜
5
一种具有复杂环境适应性的六足型细胞穿刺微纳机器人
微纳机器人 氧化铁粒子 梯度磁场 亥姆霍兹线圈 棒状二氧化硅
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号