磁饱和补偿的磁轭优化方法、装置、设备、介质及程序

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磁饱和补偿的磁轭优化方法、装置、设备、介质及程序
申请号:CN202410828030
申请日期:2024-06-25
公开号:CN119761088B
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本申请涉及电磁装备技术领域,特别涉及一种磁饱和补偿的磁轭优化方法、装置、设备、介质及程序,其中,方法包括:识别潜在的磁饱和区域,以在潜在的磁饱和区域配置至少一个补偿磁体;计算补偿磁体附近磁轭的内部磁感应强度,并判断补偿磁体的多个特性参数与补偿效果是否满足预设相关条件,如果满足则获取与补偿效果相关的关键参数;确定初步磁饱和补偿方案,并对初步磁饱和补偿方案进行迭代优化,直至满足预设迭代停止条件,得到优化后的磁饱和方案。由此,解决了相关技术中,由于永磁体系统的体积较大、系统装配和拆分难度大与磁场均匀性限制,可能导致系统的集成度和便携性降低,维护成本上升,影响测量精度与重复性,降低检测可靠性等问题。
技术关键词
磁感应强度 有限元仿真技术 磁路 磁通 参数 永磁体系统 主磁体 仿真模型 气隙 计算机程序产品 处理器 有效性 优化装置 表达式 模块 可读存储介质 便携性
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