一种应用于高端芯片失效分析的缺陷定位方法

本发明涉及一种应用于高端芯片失效分析的缺陷定位方法，包括如下步骤：(1)针对16nm以下先进工艺节点芯片的失效分析定位问题，依托多种设备协同开展晶体管级缺陷区域定位技术；(2)出现失效问题的芯片置于ATE测试机台中进行相关测试分析，找到故障原因；(3)ATE初步确定故障原因后，采用EMMI或OBIRCH进行漏电、缺陷位置定位；(4)对芯片缺陷、故障处利用PVC、SEM等进行精确定位。(5)对缺陷样品使用FIB进行样品制备，置于TEM下识别样品击穿、扩散、元素分辨。本发明提出的失效分析定位方法解决先进制程芯片晶体管密度大，金属布线层数多带来的定位难问题，能够解决缺陷定位方法之间的关联性问题。