一种双向TVS芯片及其制备方法

本发明公开了一种双向TVS芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供一P型衬底；对P型衬底的其中一个表面进行金属离子注入，形成离子层；按照离子层的外缘对P型衬底进行蚀刻，形成位于P型衬底表面的隔离槽，并且在隔离槽内填充绝缘材料以形成第一绝缘层；以离子层为阻挡层，对P型衬底进行磷元素注入，形成位于离子层之上的第一N型扩散层，以及位于P型衬底外侧区域的第二N型扩散层；在P型衬底的表面，沉积与第一绝缘层接触的第二绝缘层，且第二绝缘层的两端分别抵靠至第一N型扩散层与第二N型扩散层。本发明旨在提供双向防护、单向绝缘的TVS芯片，从而降低TVS芯片的失效率。