一种纳米级LED芯片扇出型封装方法及其产品

本发明公开了一种纳米级LED芯片扇出型封装方法及其产品，该封装方法包括以下步骤：提供一硅片，在硅片的一面键合玻璃Ⅰ；对应于硅片上的金属块的位置，对硅片的另一面进行刻蚀、沉积绝缘材料和导电材料及整平填充材料，再重布线、键合玻璃Ⅱ；将玻璃Ⅰ拆掉，在硅片上的驱动电路旁边贴装纳米级LED芯片，随后使用黑色胶材料遮盖纳米级LED芯片周边位置；将玻璃Ⅱ拆掉，并植球。本发明能够实现微米级LED芯片至纳米级LED芯片封装的跨越，纳米级LED芯片的尺寸更小、传输速度更快、功耗更低，效率成倍增长，能够实现将纳米级LED芯片的超高密度光学信号转化成电信号，增加集成度，可弥补市场空白，响应增长的产品市场需求。