短波红外焦平面阵列芯片及制作方法、传感器及制作方法

本申请公开了一种短波红外焦平面阵列芯片及其制作方法、传感器及其制作方法，该芯片包括：衬底结构，包括埋氧层和位于埋氧层一侧的第一本征层，第一本征层内具有第一重掺杂区；位于第一本征层远离埋氧层一侧的吸收层，吸收层包括至少一层锗层；贯穿吸收层和第一本征层的第二重掺杂区，在第一本征层内，第二重掺杂区与第一重掺杂区直接接触；位于吸收层远离衬底结构一侧的雪崩层，雪崩层包括本征锗层和锗硅层，且与吸收层满足晶格匹配条件；位于雪崩层远离吸收层一侧的第二本征层，第二本征层内具有第三重掺杂区；与第二重掺杂区电连接的第一电极以及与第三重掺杂区电连接的第二电极。该芯片的暗计数率和雪崩击穿电压较低，灵敏度和响应速度较高。