芯片失效分析方法

本申请实施例涉及一种芯片失效分析方法，包括：提供待测结构，待测结构包括覆铜陶瓷板以及位于覆铜陶瓷板上的芯片、第一引线和塑封料，其中，覆铜陶瓷板包括陶瓷层和位于陶瓷层的靠近芯片一侧的第一导电层，芯片包括彼此相对的第一面和第二面且芯片通过第二面而置于第一导电层上，第一面上的第一电极端通过第一引线导电连接至第一导电层的第一图案区，第二面上的第二电极端通过物理接触与第一导电层的第二图案区导电连接，塑封料密封芯片、第一引线和第一导电层；采用第一工艺去除陶瓷层，暴露出第一导电层；采用不同于第一工艺的第二工艺去除第一导电层，暴露出第二面的第二电极端和第一引线的端部；通过第二电极端和第一引线暴露的端部对芯片进行测试，判断芯片是否为失效芯片；若是，则对失效芯片进行故障定位分析。如此，可提升故障定位结果的准确度和失效分析的成功率。