摘要
本发明提供了一种LED芯片及其制备方法、设备,涉及半导体技术领域。该LED芯片的制备方法对E‑GUN机台的坩埚位置进行了调整,在通过E‑GUN机台蒸镀电极之前,调整E‑GUN机台内的坩埚偏移中心位置到达目标位置,以使制备的电极指条在第一方向上两侧的斜边角度相同,进而避免电极指条上的绝缘层在严苛的老化过程中出现断裂导致LED芯片出现漏电、死灯的现象发生,最终提高LED芯片的应用范围。
技术关键词
LED芯片
布拉格反射镜结构
电极
光刻胶
坩埚
半导体层
外延片
掩膜
机台
电流阻挡层
透明导电层
隔离沟槽
基础
衬底
凹槽
焊盘
关系
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数据
半导体芯片
光刻胶层
背面钝化层
保护膜
碳化硅衬底