一种半导体芯片的制备方法及其半导体芯片

本发明提供了一种半导体芯片的制备方法及该半导体芯片，主要用于在半导体芯片上形成金属膜层，其包括以下步骤：提供叠层结构的半导体芯片；在半导体芯片的正面形成光刻胶层，光刻胶层覆盖钝化层的上表面且从钝化层的上表面延伸至电极层的部分上表面处；在光刻胶层的上方形成金属膜层，金属膜层覆盖光刻胶层和电极层裸露的上表面；在金属膜层的上表面贴减薄保护膜，减薄半导体芯片的背面；去除减薄保护膜，以剥离位于光刻胶层上表面的金属膜层，保留位于电极层上表面的金属膜层。本发明制备的半导体芯片，其金属膜层边缘无翘起，提高了产品良率。