碳化硅双向开关半桥功率模块

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碳化硅双向开关半桥功率模块
申请号:CN202410898498
申请日期:2024-07-05
公开号:CN118866886B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种碳化硅双向开关半桥功率模块,属于半导体器件技术领域。该双向开关半桥功率模块包括模块外壳、DBC、焊接在DBC上的碳化硅双向开关单元、功率端子、信号端子、温敏电阻;该碳化硅双向开关功率模块采用半桥结构,半桥结构由两个双向开关单元组成,每一个双向开关单元由两组碳化硅MOSFET共漏极连接构成。该双向开关半桥电路集成在一块DBC上,通过键合线连接碳化硅芯片和DBC的各导电区域,构成双向开关单元和半桥结构,并引出相应的功率端子和信号端子。本发明实现了对电流的双向导通和双向阻断,并且封装为双向开关半桥结构,提高了可靠性,减小了寄生电感,提高了功率密度,降低了功率模块的寄生电感。
技术关键词
双向开关 半桥功率模块 半桥结构 信号端子 功率端子 碳化硅芯片 温敏电阻 键合线 半桥电路 半导体器件技术 模块外壳 栅极信号 导电 镜像对称 驱动信号
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