摘要
本发明涉及一种碳化硅双向开关半桥功率模块,属于半导体器件技术领域。该双向开关半桥功率模块包括模块外壳、DBC、焊接在DBC上的碳化硅双向开关单元、功率端子、信号端子、温敏电阻;该碳化硅双向开关功率模块采用半桥结构,半桥结构由两个双向开关单元组成,每一个双向开关单元由两组碳化硅MOSFET共漏极连接构成。该双向开关半桥电路集成在一块DBC上,通过键合线连接碳化硅芯片和DBC的各导电区域,构成双向开关单元和半桥结构,并引出相应的功率端子和信号端子。本发明实现了对电流的双向导通和双向阻断,并且封装为双向开关半桥结构,提高了可靠性,减小了寄生电感,提高了功率密度,降低了功率模块的寄生电感。
技术关键词
双向开关
半桥功率模块
半桥结构
信号端子
功率端子
碳化硅芯片
温敏电阻
键合线
半桥电路
半导体器件技术
模块外壳
栅极信号
导电
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