一种并联多芯片均流大功率全桥SiC模块

本实用新型涉及功率模块技术领域，尤其涉及一种并联多芯片均流大功率全桥SiC模块。其技术方案包括外壳，所述外壳内固定有基板，所述基板的底部焊接有散热器，所述基板的顶部分别安装有信号端子、功率端子和开关元件，所述基板为两块，两块基板电性连接，所述基板由依次连接的正面导电金属铜层、中间陶瓷绝缘层和背面金属铜层组成，正面导电金属铜层连接有键合线和芯片，键合线的一端与芯片连接，所述中间陶瓷绝缘层为氧化铝板、氮化硅板和氮化铝板中的任一种，所述外壳的顶部固定连接有绝缘盖板。本实用新型通过对基板进行优化布局和门极电阻调整连接方式，使其降低寄生电感和热阻，提高开关速率、功率输出能力及模块可靠性。