一种大功率倒装LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种大功率倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、外延层、第一钝化层、反射金属层、第二钝化层和焊盘金属层，外延层包括N‑GaN层、MQW量子阱层和P‑GaN层，焊盘金属层包括P电极焊盘和N电极焊盘；外延层的中部区域和切割道区域成型有主沟槽；第一钝化层和第二钝化层均沿着主沟槽表面延伸；反射金属层避开主沟槽；第一钝化层嵌设有第一金属连接结构，且与N‑GaN层相接；N电极焊盘连接第一金属连接结构；第一钝化层嵌设有第二金属连接结构，其一侧连接P‑GaN层，另一侧连接反射金属层；P电极焊盘连接反射金属层。本发明提供的芯片，膜层少、结构简单，有效降低了芯片的制造成本。