一种半导体器件中电容的制备方法及半导体器件的制备方法

本发明涉及一种半导体器件中电容的制备方法及半导体器件的制备方法。一种半导体器件中电容的制备方法，在基底上形成由蚀刻停止层、下部模氧化层、中间支撑层、上部模氧化层、顶部支撑层由下至上堆叠的堆栈部；在堆栈部中刻蚀出多个深沟槽；在深沟槽内壁形成下电极；形成碳涂层，形成硬掩膜层；形成光刻胶，覆盖硬掩膜层；对光刻胶进行图形化处理，形成多个刻蚀窗口；通过刻蚀窗口刻蚀顶部支撑层，形成顶部支撑层中的窗口；刻蚀去除上部模氧化层；刻蚀中间支撑层，形成中间支撑层中的窗口；刻蚀去除下部模氧化层；干法刻蚀去除碳涂层；形成电容介质层、上电极。本发明解决了高深宽比的电容下电极容易塌陷或倾斜的问题。