一种大功率射频芯片三维堆集成结构及其制备方法

本发明属于射频芯片技术领域，提供了一种大功率射频芯片三维堆集成结构及其制备方法，包括多层电路基板，所述多层电路基板上从下至上依次设置有射频芯片本体、屏蔽框和低K值转接板，以解决现有技术中不能够快速对空气腔中的热量进行释放，降低空气腔中电子器件运行稳定性的技术问题。本发明通过射频芯片本体、低K值转接板和屏蔽框形成两组密封腔，同时散热管可以通过屏蔽框与密封腔连通，之后密封腔中上部的热空气可以流动至散热管中与冷却液进行热交换散热，降温后的空气再次通过散热管回流到密封腔中的下部，能够直接的对密封腔中的空气散热，本发明可以广泛的应用于对密封腔体内部进行降温的场景中。