基于晶圆片上生长的一体化液冷微流道埋入式封装结构

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基于晶圆片上生长的一体化液冷微流道埋入式封装结构
申请号:CN202410927567
申请日期:2024-07-11
公开号:CN118471941B
公开日期:2024-10-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及功率器件封装及其散热技术,旨在提供一种基于晶圆片上生长的一体化液冷微流道埋入式封装结构。该封装结构,包括下述的由上至下依次布置的多层结构:上晶圆层,包括N组歧管;下晶圆层,包括上表面具有N组微流道且下表面具有绝缘外延层,在绝缘外延层的表面设有N组引线框架;芯片层,包括N组芯片以及金属连接块;再布线层,包括用于填充的绝缘填料,其表面具有N组金属电路图案;阻焊层,位于再布线层外侧,在阻焊层中与金属电路图案相对应位置设有焊盘。本发明能够消除各层结构间的孔隙,实现更紧密一体化集成;省去热界面材料,保持极低的传导热阻;制备的封装模块具有超低寄生电感和极低热阻,兼具了优良散热性能和电气性能。
技术关键词
引线框架 绝缘填料 封装结构 歧管 微流道 刻蚀工艺 侧流道 金属盲孔 衬底 外延 芯片 图案 封装模块 电路 光刻胶 布线 热塑性预浸料 碳化硅 功率器件封装
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