一种用于芯片铜互连平坦化的抛光液及其制备方法和应用

本发明涉及一种用于芯片铜互连平坦化的抛光液及其制备方法和应用，属于半导体芯片制造铜互连化学机械抛光领域，包括以下质量分数的原料组分：氨基多羧酸型螯合剂0.02‑2％、吡啶杂环羧基类络合剂0.1‑3％、抑制剂0.01‑0.5％、氧化剂0.5‑4.5％，其余为去离子水；所述吡啶杂环羧基类络合剂为喹啉羧酸或吡啶二羧酸。与现有技术相比，本发明提供的抛光液中铜钴的电偶腐蚀被消除，降低了铜抛光过程中金属电位差过大的引起质量缺陷的风险；且具有较大铜钴速率选择比的抛光液，可以在较快的去除过量铜的情况下，抛光自动终止在钴阻挡层，防止过度抛光导致钴膜的损伤。