一种倒装LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供外延片；在外延片上形成电流扩展层、第一电极和第二电极；沉积反射层并开孔暴露第一电极和第二电极，分别在第一电极和第二电极上形成第一焊盘和第二焊盘，得到LED芯片；将基板与LED芯片键合；剥离LED芯片的衬底并将第一半导体层减薄；在减薄后的第一半导体层上沉积出光层；在基板上开孔并暴露第一焊盘和第二焊盘，刷锡焊接形成欧姆接触，得到倒装LED芯片。实施本发明，可以大幅提高倒装LED芯片的透光率，从而提高器件的发光亮度。