一种基于覆铜陶瓷基板厚度的碳化硅功率器件可靠性优化方法和碳化硅功率器件

本发明提供了基于覆铜陶瓷基板厚度的碳化硅功率器件可靠性优化方法和碳化硅功率器件，该方法包括构建待优化的碳化硅功率器件的有限元分析模型；通过有限元分析模型，获取覆铜陶瓷基板的上表面金属铜层在不同厚度下服役可靠性参数以及工作寿命参数；分别确定厚度与各参数之间的变化关系；不断调整上表面金属铜层厚度，直至根据变化关系所确定的服役可靠性参数满足碳化硅功率器件的期望服役可靠性标准以及工作寿命参数满足期望工作寿命标准，从而得到满足可靠性要求的碳化硅功率器件。本发明通过调控覆铜陶瓷基板的铜层厚度，能够降低充放电桩SiC功率模块烧结互连过程中的应力和翘曲变形，减少优化成本与资源，有效提高SiC功率器件的服役可靠性。