金刚石/单晶硅复合立体基板、其制备方法与应用

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金刚石/单晶硅复合立体基板、其制备方法与应用
申请号:CN202410959903
申请日期:2024-07-17
公开号:CN118888524B
公开日期:2025-06-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种金刚石/单晶硅复合立体基板、其制备方法与应用。所述金刚石/单晶硅复合立体基板包括单晶硅基底和设置在单晶硅基底上的金刚石层,所述金刚石层远离所述单晶硅基底的一侧表面上形成有微纳结构,所述微纳结构包括间隔分布的多个凸起部。本发明所提供的金刚石/单晶硅复合立体基板通过结合金刚石层和单晶硅基底形成复合立体基板,金刚石层用于实现高效率散热,单晶硅基底用于制备硅基器件,并且在金刚石层的表面设置了多个凸起部形成的微纳结构,进一步提高散热效率,从而极大地改善了对GPU等高发热率器件的散热性能,提高了器件的运算性能和寿命,降低了单位算力的成本。
技术关键词
单晶硅基底 半导体芯片 微纳结构 立体 硅片 基板 金刚石材料 组合体 层厚度 散热结构 环形 凹槽 粗糙度 原位 间距 高效率 寿命
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