超级结半导体器件的制作方法及超级结半导体器件

本申请提供一种超级结半导体器件的制作方法及超级结半导体器件，涉及半导体芯片技术领域，所述方法包括：在第一导电类型衬底的一侧形成第一导电类型外延层；对第一导电类型外延层进行刻蚀，形成凹槽，凹槽包括暴露出第一导电类型外延层的底面及与底面连接的侧壁；进行第二导电类型杂质的注入，形成覆盖侧壁的补偿层，补偿层内的第二导电类型杂质的浓度与侧壁的倾角呈负相关；如此，在芯片制程过程中，凹槽刻蚀角度波动时可以对凹槽内杂质的整体剂量进行自对准补偿，提高产品工艺容差，降低生产成本。