一种低翘曲扇出型晶圆级封装结构及其制备方法

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一种低翘曲扇出型晶圆级封装结构及其制备方法
申请号:CN202410964568
申请日期:2024-07-18
公开号:CN119050064A
公开日期:2024-11-29
类型:发明专利
摘要
一种低翘曲扇出型晶圆级封装结构及其制备方法,属于半导体芯片封装领域。所述封装结构包括:芯粒、模塑层、背面散热金属种子层、背面散热互连结构钝化层、金属填充层、RDL层、RDL钝化层及凸点。芯粒嵌入模塑层中,芯粒的背面和模塑层的下表面依次为背面散热金属种子层、背面散热互连结构钝化层,背面钝化层图案中填充有金属填充层,芯粒的正面和模塑层的上表面依次为RDL层、RDL钝化层、凸点。将重构晶圆的散热结构制备在扇出型晶圆背面,与重构晶圆一体化集成封装,从而实现在晶圆重构过程中降低重构晶圆的翘曲与提升散热能力。解决了现有晶圆级封装技术中重构晶圆翘曲大、散热不良的问题。广泛应用于扇出型晶圆级封装产品技术领域。
技术关键词
散热结构 物理气相沉积技术 重构 低翘曲 模塑 互连结构 种子层 正面 电极阵列 胶膜 封装芯片 晶圆 布线 多层金属结构 电极引出孔 粘合胶 铜填充 铜柱凸点 粘合膜
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