一种消除宽条型大功率半导体激光器功率尖峰的芯片

本发明涉及一种消除宽条型大功率半导体激光器功率尖峰的芯片，属于半导体激光器芯片制备技术领域。芯片包括叠层结构，叠层结构自下至上依次设置有衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型低折射率系数高限制效率层、P型限制层和欧姆接触层；欧姆接触层两侧对称位置分别设置有波导槽，波导槽贯穿欧姆接触层，波导槽底部下陷至P型限制层，两波导槽之间形成脊波导。本发明通过增加高阶模损耗结构将功率尖峰处的侧向高阶模引出激光器谐振腔，使之不能形成激射，进而有效抑制功率尖峰现象。