重新分布互连转接封装结构及其制备方法

本发明提供了一种重新分布互连转接封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该重新分布互连转接封装结构包括衬底、导电层、第一芯片、封装介质层、堆叠布线组合层和基底布线组合层，衬底中设置有第一导电柱；导电层设置在第二表面；第一芯片设置在衬底的中部；封装介质层设置在第二表面，封装介质层中设置有第二导电柱，堆叠布线组合层设置在封装介质层远离衬底的一侧；基底布线组合层设置在第一表面。相较于现有技术，本发明实施例提供的重新分布互连转接封装结构及其制备方法，能够提升整体结构强度和内部结合力，并解决结构内部应力问题，减缓应力导致翘曲现象。