沟槽栅SiC MOSFET芯片及其制作方法

本发明公开了一种沟槽栅SiC MOSFET芯片及其制作方法，本发明的沟槽栅SiC MOSFET芯片使用复合型的沟槽栅结构，沟槽底部和侧壁的栅氧化层厚度可以分别控制，增厚电场强度较大位置的沟槽底部栅氧化层，从而提升器件在使用过程中的长期可靠性，侧壁沟槽部分保留较薄的栅氧化层，有助于降低器件的沟道电阻和导通损耗。可见，本发明能够在保证器件具有高可靠性的同时，有效降低沟道电阻和导通损耗。