半导体芯片的封装方法

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半导体芯片的封装方法
申请号:CN202410975609
申请日期:2024-07-19
公开号:CN118748151A
公开日期:2024-10-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种半导体芯片的封装方法,包括:于真空腔室中,在基板上点涂环氧树脂,以形成环绕芯片的环氧树脂堤坝结构;在环氧树脂堤坝结构的内侧注入环氧树脂;对所注入的环氧树脂和环氧树脂堤坝结构进行固化,在固化过程中,全部环氧树脂至少经历三次升温阶段;以第一升温速率将环氧树脂升温至70‑90°C,并在芯片的中心到芯片的周缘的方向上形成温度梯度,芯片的中心的温度大于芯片的周缘的温度;以第二升温速率将环氧树脂升温至120‑140°C,同时降低温度梯度;以第三升温速率将环氧树脂升温至140‑160°C,同时对环氧树脂施加机械振动;固化完毕后,按预设降温速率将环氧树脂降温至室温。本发明技术方案能够减少环氧树脂中气泡的形成。
技术关键词
环氧树脂 堤坝结构 半导体芯片 封装方法 速率 周期性 阶段 基板 脉冲 频率 压力 真空腔 气泡 体积比 氮气 紫外光 动态 超声波
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