一种多模态的氮化物半导体CMOS阵列及其制备方法

本发明公开了一种多模态的氮化物半导体CMOS阵列及其制备方法，该阵列包括若干纵向分布的第一纳米柱结构；相邻第一纳米柱结构之间填充有绝缘介质；每个第一纳米柱结构：包括第一势垒层的第一N型外延结构；位于第一N型外延结构上方的包括第二沟道层的第一P型外延结构；第一源极呈环状包围第一势垒层，第二源极呈环状包围第二沟道层；第一栅极和第二栅极分别位于第一势垒层、第二势垒层表面，第一、第二栅极通过互联金属实现共栅极；第一漏极和第二漏极分别位于第一势垒层、第二势垒层表面，第一漏极与第一栅极、第二漏极与第二栅极之间填充有绝缘介质，第一、第二漏极通过互联金属实现共漏极。本发明提升了氮化物半导体CMOS阵列集成度。