一种MOS器件制造方法

本发明属于MOS器件制造技术领域，具体的说是一种MOS器件制造方法，包括以下步骤：首先需要制造一个硅晶片；然后需要在其表面制造一层绝缘材料；最后将芯片和绝缘层封装在一个金属外壳中；为解决存在气泡或空洞导致封装材料与晶片之间的粘合不良的问题，通过电脑程序控制第二电机，通过第二电机带动检测探头运动；检测完成后驱动翻料辊带动封装工件翻面；若该检测探头检测结果合格，翻面后，需要通过电脑程序控制，另一个检测探头对封装工件翻面进行检测；若该检测探头检测结果不合格，翻面后，需要通过电脑程序控制，另一个检测探头不会开启，最终封装工件输送至剔除机构，任何一个检测结果不合格，均进行剔除，实现了对封装工件的检测。