键合界面厚度可控的异质键合器件的制备方法、异质键合器件和电光调制器

本发明公开了一种键合界面厚度可控的异质键合器件的制备方法、异质键合器件和电光调制器，涉及光电技术领域。异质键合器件的制备方法，包括：提供光电薄膜材料芯片；提供晶圆，所述晶圆包括晶圆氧化层；将所述光电薄膜材料芯片与所述晶圆氧化层键合。电光调制器，包括所述的异质键合器件。本发明的异质键合器件，采用芯片到晶圆的形式，有利于实现真正意义上的光电子单片集成系统，实现真正意义上大规模光电集成芯片的产业应用。将异质键合器件用于制作电光调制器，在3dB带宽>110GHz，半波电压<3V，实现了单波200G的信号传输。