半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件导电沟道处的2DEG的浓度不能灵活调整的问题。半导体器件包括：衬底、沟道层、势垒层和P型氮化镓层，沟道层位于衬底的一侧，势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；P型氮化镓层位于势垒层远离衬底的一侧。其中，半导体器件还包括：调控层，调控层位于势垒层远离衬底的一侧，调控层的材料包括氮化硅。上述半导体器件应用于功率器件中。