一种离子液体作为连接层实现钙钛矿单晶与CMOS集成的方法

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一种离子液体作为连接层实现钙钛矿单晶与CMOS集成的方法
申请号:CN202411007181
申请日期:2024-07-25
公开号:CN118922035A
公开日期:2024-11-08
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种使用离子液体作为连接层实现钙钛矿单晶与CMOS芯片集成的方法。该方法以离子液体作为连接层,与钙钛矿单晶形成新的界面层,即通过化学焊接技术实现了大面积卤化物钙钛矿单晶与CMOS基底的强粘合,提高了X射线探测器的灵敏度和稳定性,为基于CMOS的高性能X射线探测器的集成制造提供了一种有效的解决方案。
技术关键词
钙钛矿单晶 离子液体 X射线探测器 卤化物钙钛矿 铵醋酸盐 基底 甲基 甲酸 界面 高性能 粉末 芯片 压力
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