可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构及其制作方法

本发明公开了一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，包括如下步骤：取一硅基板，在该硅基板上开设TSV孔，该TSV孔为盲孔，且其上部为倒角结构；在TSV孔中形成向硅基板对应于倒角结构的一面延伸覆盖的复合线路结构；在复合线路结构上键合支撑基板，然后对硅基板的另一面进行减薄，直至复合线路结构暴露；在硅基板的远离复合线路结构的一侧开设凹槽，在凹槽中贴装芯片；在硅基板的远离复合线路结构的一侧形成线路导出结构。本发明通过倒角结构的TSV孔可降低孔底应力，减少对绝缘层的影响，并可避免绝缘层以及金属线路层材料在TSV孔的孔口处出现堆积的问题；本发明可提高扇出封装结构的良率，节约封装成本。