方形双不对称元胞结构UMOSFET及制备方法

本发明涉及一种方形双不对称元胞结构UMOSFET及制备方法，该UMOSFET包括：SiC衬底；外延N‑漂移区设置在SiC衬底的上表面；P阱区设置在外延N‑漂移区的上表面；N+区设置在P阱区的上表面；P+阱区从N+区的上表面向下延伸贯穿N+区和P阱区，P+阱区对N+区和P阱区形成包围结构；沟槽栅结构包括沟槽以及设置沟槽内的栅极部分，沟槽在N+区的相邻两侧面与P+阱区的相接位置从上表面向下延伸；源极设置在N+区和P+阱区的上表面；漏极设置在SiC衬底的下表面。本发明能够有效地降低器件的比导通电阻，同时没有增加额外的芯片面积。