摘要
本发明提供了一种LED芯片及发光设备,涉及LED技术领域。该LED芯片的结构参数包括所述N电极的底部与所述Mesa台阶结构侧壁之间的距离、所述Mesa台阶结构的高度、所述N电极的高度以及所述N电极面向所述Mesa台阶结构一侧的侧壁角度。相比较现有技术而言,本申请技术方案并不涉及额外的工艺步骤,根据LED芯片的结构仅仅只需优化LED芯片的结构参数中的至少一个结构参数,即可减少N电极与Mesa台阶结构之间的光反射次数,降低N电极对光的损耗,实现实施方案简单且可以提高LED芯片发光效率的目的。
技术关键词
LED芯片
台阶结构
发光设备
光反射次数
电极
外延片
半导体层
多量子阱层
参数
衬底
凹槽
层叠
损耗