光电芯片及其制备方法

本发明公开了一种光电芯片及其制备方法，通过对第二电极与衬底之间欧姆接触区域的位置以及面积大小的设计，有目的地设置第二电极的欧姆接触区域位置和面积发生变化。在靠近键合电极区的一端，欧姆接触面积小或者没有欧姆接触，在朝着逐渐远离键合电极区的方向上，欧姆接触的面积逐渐增大，以此调节背面（第二电极所在侧）衬底的第二电流扩展电阻以及欧姆接触电阻，补偿因第一电极上电流传输距离不同（第一电流扩展电阻不同）导致的各个发射孔电流密度不均匀问题，使得整个器件的所有发射孔的出光更加均匀。