硅通孔转接板及其制造方法、2.5D集成模组及其制造方法

本发明公开了一种硅通孔转接板及其制造方法、2.5D集成模组及其制造方法，该硅通孔转接板的制造方法中载片的Si O2层与硅通孔接触，形成Cu‑SiO2混合键合界面，用来代替临时键合，降低了硅通孔转接板背面工艺的难度。所述方法包括：提供一裸晶圆；在所述裸晶圆的正面上形成深孔；形成第一绝缘层；在所述深孔中填充金属铜，形成硅通孔；提供一载片，所述载片包括SiO2层；将所述载片上的S iO2层和所述硅通孔接触，形成Cu‑Si O2混合键合界面；对所述裸晶圆的背面减薄，以使所述硅通孔底部露出裸晶圆的背面；形成第二绝缘层；形成多层金属互连单元和第一凸点单元；去除载片；形成第二凸点单元。