半导体工艺前的晶圆及使用该晶圆的半导体芯片制造方法

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半导体工艺前的晶圆及使用该晶圆的半导体芯片制造方法
申请号:CN202411031307
申请日期:2024-07-30
公开号:CN119446893A
公开日期:2025-02-14
类型:发明专利
摘要
一种晶圆包括:在晶圆主体的一个表面上围绕半导体芯片区域的划道;以及应力调节部分,其位于划道中,并且包括具有至少与晶圆主体的材料不同的材料的第一膜和第二膜。可以在半导体工艺之前提供晶圆。
技术关键词
半导体工艺 半导体芯片 晶圆 二氧化硅 多晶硅 椭圆形凹槽 三角形凹槽 应力 梯形凹槽 蚀刻 四边形
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