一种半水基芯片蚀刻后残留物清洗液及其制备方法与用途

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一种半水基芯片蚀刻后残留物清洗液及其制备方法与用途
申请号:CN202411040308
申请日期:2024-07-31
公开号:CN119020113A
公开日期:2024-11-26
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种半水基芯片蚀刻后残留物清洗液及其制备方法与用途。所述清洗液,按照重量份计算,包括如下组分:复合功能剂0.1‑0.5份;pH调节剂2‑4份;保护剂0.1‑1份;氢氟酸0.1‑1份;氟化铵0.5‑1.5份;有机溶剂40‑60份;超纯水20‑40份。本发明复合功能剂可将芯片上附着的蜡质层、研磨脏污等污染物清洗彻底,且不会在溶液表面形成蜡质,也不会对芯片造成脏污回粘,其具有缓蚀和乳化稳定的双重功能,缓蚀功能可以保护芯片避免腐蚀,而乳化稳定功能则是在该体系中具有优异的乳化性能和稳定性能,从而保证了整个体系的油‑水均匀混合。
技术关键词
蚀刻后残留物 清洗液 超纯水 清洗半导体芯片 乳化稳定功能 酒精灯 聚乙二醇 氨基苯甲酰胺 缓蚀功能 草酸 异丁酰胺 二甲基乙酰胺 调节剂 保护芯片 清洗方法 酯化物 脏污 氢氟酸
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