一种太赫兹频段InP HBT建模方法

本发明公开了一种太赫兹频段InP HBT建模方法，包括：使用InP HBT器件经三维电磁仿真得到的无源环境下的CST仿真数据，训练得到CST网络；使用InP HBT器件经TCAD仿真得到的偏置环境下的TCAD仿真数据，训练得到TCAD网络；将所述器件几何尺寸分别输入所述CST网络和TCAD网络，分别得到等效电路的模型参数1和等效电路的模型参数2；计算得到U值与频率的关系曲线并预测待建模的InP HBT器件的高频特性fMAX。本发明能预测太赫兹频段下工艺和器件版图结构参数驱动的InP HBT工作点频率特性，优化InP HBT太赫兹功率放大器设计。本发明可以快速实现晶体管太赫兹频段线性、非线性行为的准确描述和特性的精确预测。